該設(shè)備用于氮化鎵（GAN）芯片生產(chǎn)工藝過程中的真空退火、合金、氧化、擴散等工藝。該系統(tǒng)具有精確溫度控制系統(tǒng)和真空壓力控制系統(tǒng)。

主要參數(shù)： 

    工作溫度范圍： 600-1280 度。

     使用溫度：1200 度。 

    每爐可處理 25 片。標準晶圓舟 25 片。

    爐管有效口徑：滿足 6 寸片，可向下兼容 4、2 寸。 

    升溫功率：18KVA/每管 。

    電源：三相五線制： 380V 三相五線。

     具有斷偶、超溫報警以及二次保護功能。