用途:
主要用于各大高校、硅材料實驗室、及微電子專業(yè)對半導體6寸及以下硅片的高溫擴散、氧化(濕氧)、退火、燒結合金工藝的教學和實驗工作。
1.1、工作溫度:400-1300℃
1.2、恒溫區(qū)長度及精度: 300mm /±0.5℃(可選)
1.3、爐管數:一、二、三、四管(可選)
1.4、適應硅片尺寸: 6寸及向下兼容
1.5、送取片方式:自動或手動(可選)

服務創(chuàng)造價值、存在造就未來
用途:
主要用于各大高校、硅材料實驗室、及微電子專業(yè)對半導體6寸及以下硅片的高溫擴散、氧化(濕氧)、退火、燒結合金工藝的教學和實驗工作。
1.1、工作溫度:400-1300℃
1.2、恒溫區(qū)長度及精度: 300mm /±0.5℃(可選)
1.3、爐管數:一、二、三、四管(可選)
1.4、適應硅片尺寸: 6寸及向下兼容
1.5、送取片方式:自動或手動(可選)

上一篇:立式擴散爐 立式退火爐
下一篇:氮化鎵 (GAN)氧化爐